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1.IFM 壓力傳感器正確安裝方法：
(1) 通過適當(dāng)?shù)膬x表， 在普通大氣壓和標準溫度條件下，核實IFM壓力傳感器的頻率反應(yīng)值。
(2) 核實IFM壓力傳感器的編碼與相應(yīng)的頻率反應(yīng)信號的正確性。
2. 確定具體安裝位置
為了確定IFM壓力傳感器的編號和具體安裝位置， 需按充氣網(wǎng)的各個充氣段來考慮。
(1) IFM壓力傳感器必須沿著線纜進行安裝， 安裝在線纜接頭處。
(2) 每條線纜裝設(shè)壓力傳感器不少于4個， 靠近局的兩個IFM壓力傳感器， 相距不應(yīng)大干200m。
(3) 每條線纜的始端和末端分別安裝1個。
(4) 每條線纜的分支點應(yīng)裝1個， 如果兩個分支點相距較近(小于100 m)，可只裝1個。
(5) 線纜敷設(shè)方式(架空、地下)改變處應(yīng)裝1個
(6) 對無分支的線纜， 因壘線的線纜程式一致， IFM壓力傳感器的安裝隔距不大干500m， 并使其總數(shù)不少于4個。
(7) 為了便于確定IFM壓力傳感器故障點， 除在起點安裝IFM壓力傳感器外，距起點150~200m處，還要另外安裝1個當(dāng)然在設(shè)計中， 一定要考慮經(jīng)濟與技術(shù)的因素， 在不需要安裝IFM壓力傳感器的地方，則應(yīng)不必安裝。
德國IFM易福門磁性傳感器
在控制技術(shù)中，磁性傳感器采用無接觸及無磨損的工作方式進行位置檢測，它們可用于電感式傳感器應(yīng)用受局限的所有領(lǐng)域。由于磁場能穿透所有非磁化的材料，磁性傳感器能夠識別如非亞鐵材料，不銹鋼、鋁、塑料或木制墻壁等物體。
德國IFM易福門傳感器的特點包括：微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化。它是實現(xiàn)自動檢測和自動控制的首要環(huán)節(jié)。傳感器的存在和發(fā)展，讓物體有了觸覺、味覺和嗅覺等感官，讓物體慢慢變得活了起來。通常根據(jù)其基本感知功能分為熱敏元件、光敏元件、氣敏元件、力敏元件、磁敏元件、濕敏元件、聲敏元件、放射線敏感元件、色敏元件和味敏元件等類。
德國IFM易福門電容式傳感器可用無接觸的方式來檢測任意一個物體。與只能檢測金屬物的電感式傳感器比較，電容式傳感器也可以檢測非金屬的材料。典型的應(yīng)用領(lǐng)域為木材業(yè)、紙業(yè)、玻璃制造業(yè)、塑料制造業(yè)、食品業(yè)及化學(xué)工業(yè)。
可以作為傳感器用，用于計數(shù)，限位等等。有一種自行車碼表傳感器，就是在輻條上裝上磁鐵，在前叉上干簧管構(gòu)成的。裝在門上，可作為開門時的報警、問候等。在“斷線報警器”的制作中，也會用到干簧管。
當(dāng)*磁鐵靠近干簧管時，或者由繞在干簧管上面的線圈通電后形成磁場使磁化時，的接點就會感應(yīng)出極性相反的磁極。由于磁極極性相反而相互吸引，當(dāng)吸引的磁力超過的抗力時，分開的接點便會吸合;當(dāng)磁力減小到一定值時，在抗力的作用下接點又恢復(fù)到初始狀態(tài)。這樣便完成了一個開關(guān)的作用。因此可以作為傳感器用，用于計數(shù)，限位等等。有一種自行車公里計，就是在輪胎上粘上磁鐵，在一旁固定上兩個的干簧管構(gòu)成的。裝在門上，可作為開門時的報警、問候等。在“斷線報警器”的制作中，也會用到干簧管。
1.干簧管結(jié)構(gòu)：把兩片即導(dǎo)電又導(dǎo)磁的材料組成的平行各種干簧管的封入充有惰性氣體的玻璃管中組成的開關(guān)元件。兩一端重疊并有一定的空隙，便于形成接點。
2.干簧管的接點形式有兩種:一是常開接點（H）型，平時打開，只有被磁化時，接點才結(jié)合；二是轉(zhuǎn)換接點的單簧管：結(jié)構(gòu)上有三個，*片用只導(dǎo)電不導(dǎo)磁的材料做成，第二第三用即導(dǎo)電又導(dǎo)磁的材料做成，上中下依次是1,3,2。平時，由于彈力的作用，1、3相連；當(dāng)有外界磁力，2、3磁化，相吸。從而形成一個轉(zhuǎn)換開關(guān)。
磁傳感器廣泛用于現(xiàn)代工業(yè)和電子產(chǎn)品中以感應(yīng)磁場強度來測量電流、位置、方向等物理參數(shù)。在現(xiàn)有技術(shù)中，有許多不同類型的傳感器用于測量磁場和其他參數(shù)。
例如采用霍爾（Hall）元件，各向異性磁電阻（Anisotropic Magnetoresistance, AMR）元件或巨磁電阻（Giant Magnetoresistance, GMR）元件為敏感元件的磁傳感器。TMR（Tunnel MagnetoResistance）元件是近年來開始工業(yè)應(yīng)用的新型磁電阻效應(yīng)傳感器，其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應(yīng)對磁場進行感應(yīng)，比之前所發(fā)現(xiàn)并實際應(yīng)用的AMR元件和GMR元件具有更大的電阻變化率。我們通常也用磁隧道結(jié)（Magnetic Tunnel Junction, MTJ）來代指TMR元件，MTJ元件相對于霍爾元件具有更好的溫度穩(wěn)定性，更高的靈敏度，更低的功耗，更好的線性度，不需要額外的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)；相對于AMR元件具有更好的溫度穩(wěn)定性，更高的靈敏度，更寬的線性范圍，不需要額外的set/reset線圈結(jié)構(gòu)；相對于GMR元件具有更好的溫度穩(wěn)定性，更高的靈敏度，更低的功耗，更寬的線性范圍。
IFM磁傳感器未來的發(fā)展趨勢有以下幾種特點：
1、高靈敏度。被檢測信號的強度越來越弱，這就需要磁性傳感器靈敏度得到極大提高。應(yīng)用方面包括電流傳感器、角度傳感器、齒輪傳感器、太空環(huán)境測量。
2、溫度穩(wěn)定性。更多的應(yīng)用領(lǐng)域要求傳感器的工作環(huán)境越來越嚴酷，這就要求磁傳感器必須具有很好的溫度穩(wěn)定性，行業(yè)應(yīng)用包括汽車電子行業(yè)。
3、抗干擾性。很多領(lǐng)域里傳感器的使用環(huán)境沒有任何屏蔽，就要求傳感器本身具有很好的抗干擾性。包括汽車電子、水表等等。
4、小型化、集成化、智能。要想做到以上需求，這就需要芯片級的集成，模塊級集成，產(chǎn)品級集成。
5、高頻特性。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的推廣，要求傳感器的工作頻率越來越高，應(yīng)用領(lǐng)域包括水表、汽車電子行業(yè)、信息記錄行業(yè)。
6、低功耗。很多領(lǐng)域要求傳感器本身的功耗極低，得以延長傳感器的使用壽命。應(yīng)用在植入身體內(nèi)磁性生物芯片，指南針等等。
磁傳感器的發(fā)展,在本世紀70～80 年代形成高潮。90 年代是已發(fā)展起來的這些磁傳感器的成熟和完善的時期。
(1) 集成電路技術(shù)的應(yīng)用。將硅集成電路技術(shù)用于磁傳感器,開始于1967 年。Honeywell 公司Mi2croswitch 分部的科技人員將Si 霍爾片和它的訊號處理電路集成到一個單芯片上,制成了開關(guān)電路,首開了單片集成磁傳感器之先河。已經(jīng)出現(xiàn)了磁敏電阻電路、巨磁阻電路等許多種功能性的集成磁傳感器。
(2) InSb 薄膜技術(shù)的開發(fā)成功,使InSb 霍爾元件產(chǎn)量大增,成本大幅度下降。zui先運用這種技術(shù)獲得成功的日本旭化成電子公司,如今可年產(chǎn)5 億只以上。
(3) 強磁性合金薄膜。1975 年面市的強磁合金薄膜磁敏電阻器利用的是強磁合金薄膜中的磁敏電阻各向異性效應(yīng)。在與薄膜表面平行的磁場作用下,以坡莫合金為代表的強磁性合金薄膜的電阻率呈現(xiàn)出2 [%]～5 [%]的變化。利用這種效應(yīng)已制成三端、四端磁阻器件。四端磁阻橋已大量用于磁編碼器中,用來檢測和控制電機的轉(zhuǎn)速。此外,還作成了磁阻磁強計、磁阻讀頭以及二維、三維磁阻器件等。它們可檢測10 - 10～10 - 2 T 的弱磁場,靈敏度高、溫度穩(wěn)定性好, 將成為弱磁場傳感和檢測的重要器件。
(4) 巨磁電阻多層膜。由不同金屬、不同層數(shù)和層間材料的不同組合,可以制成不同的機制的巨磁電阻(giant magneto - resistance) 磁傳感器。它們呈現(xiàn)出的隨磁場而變化的電阻率,比單層的各向異性磁敏電阻器的要高出幾倍,正受到研制高密度記錄磁盤讀出頭的科技人員的極大關(guān)注，已見有5 G字節(jié)的自旋閥頭的設(shè)計分析的報導(dǎo)。
(5) 各種不同成分和比例的非晶合金材料的采用,及其各種處理工藝的引入,給磁傳感器的研制注入了新的活力,已研制和生產(chǎn)出了雙芯多諧振蕩橋磁傳感器、非晶力矩傳感器、壓力傳感器、熱磁傳感器、非晶大巴克豪森效應(yīng)磁傳感器等[4 ] 。發(fā)現(xiàn)的巨磁感應(yīng)效應(yīng)(giant magneto inductive effect) 和巨磁阻抗效應(yīng)(giant magneto - impedance effect) ,比巨磁電阻的響應(yīng)靈敏度高一個量級,可能做成磁頭,成為高密度磁盤讀頭的有力競爭者。利用非晶合金的高導(dǎo)磁率特性和可做成細絲的機械特性,將它們用于磁通門和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到大大的改善。(6) Ⅲ- Ⅴ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。例如,在InP 襯底上用分子束外延技術(shù)生長In0. 52Al0. 48As/In0. 8Ga0. 2As ,形成假晶結(jié)構(gòu),產(chǎn)生二維電子氣層,其層厚是分子級的,這種材料的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。用這種材料來制作霍爾元件,其靈敏度高于市售的
